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碳化硅器件動態參數測試系統
文章來源:handler 時間:2020-07-24 03-15-46

適用于碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數測試。

主要技術參數:

IGBT開關特性測試/開關時間測試條件:

Ic:1A-1000A

Vce:5V-3500V(可擴展)

Vgs:-10V-+20V

Rg:1R-100R可調(可選擇4擋及外接)

負載:感性負載阻性負載可切換

電感范圍:100uH,200uH,500Uh,1000Uh

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